PMOS场效应管IRF9530N为什么不工作？

PMOS场效应管IRF9530N为什么不工作？

先指出你的电路错误：如果IRF9530N是PMOS管，则应该把S和D在电路中对调过来才对，同时作为负载的灯泡应该置于PMOS管的下面（对调后的D极下面，D通过灯泡接地）。
（电路改正后）S是48V电压（灯泡未点亮时），如果G的电压低于48-3=45V，则此PMOS管会处于导通状态。你给G的电压最大才11V，当然不会关断，去掉电路中的R3就可以了。追问谢谢
S和D在电路中对调过来，我也试了，一直是导通状态

这个PMOS管的GS电压最大正负20V，超了会烧管子

不知道我说的对不对，望回答。追答你说得对。按照我说的，把电路修改成：+48V——PMOS管S极——PMOS管D极——灯泡——地（负接地）。把R3除去（可控硅A直接接+48V）。
由于Vgs最大值是20V，在G极追加一个10K的上拉电阻至+48V，以防烧毁PMOS。
这样再试下，如果电路还是不能关断，则说明的的前面电路设计有问题：可控硅一直处于关断状态。

首先，对于POS管来讲，应该是负压驱动。
可控硅截止时，不知道你那个PMOS的DS能导通的驱动电压来自于哪里？
其次，如果你的可控硅导通，G的电压如果是11V，PMOS管处于截止区
DS确实应该是断开状态。负载不工作。
我所接触的应用中，PMOS用的不多。一般都是NMOS追问如果我把DC48V当成0v，负极不就是-48了吗？
IRF9530N的GS电压>4V的样子DS都是导通的吧，
PMOS的GS电压11V，DS不截止，是我做实验得出的结果
望解答，谢谢。追答在你的图中，这个-48V我不知道是怎么来的。
作为增强型PMOS管
你如果不给GS加一个负压，他怎么可能形成导电沟道呢？
你可以单独拿你的MOS管做一个实验
就是G直接接地，你看MOS管是否导通？
就算导通，也应该是漏电流。追问还得弄个负压啊，可能问题就出在这里，下面你说的，我再试试，谢谢
另外：
如果要负压驱动，我需要怎么解决？追答另外，PMOS的电源应该是接在源极，漏极应该接地。
正因为PMOS是负压驱动，所以一般用的不多啊。
转载一段给你参考一下【用N沟道还是P沟道
　　为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。】
你这里负载是接电源，属于低端驱动，所以应该重点考虑使用NMOS追问我需要的功能是过压保护，电压高于设定值，需要切断电源，用NMOS我不知道怎么实现，如果不行我只能用继电器来实现了。
我需要一个常开 开关，有什么好的建议吗？谢谢。追答过压保护办法多的是啊。
常见的方法就是电阻分压加一个比较器
然后用比较器的输出驱动一个三极管，再用三极管驱动NMOS不就可以了嘛追问真不好意思，提问者采纳我选错误了，选另一个了，本来是要选这个的。点错地方了追答你好搞siao哦