如何改装汽车高压包

如何改装汽车高压包

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一、高压包的作用。 高压包，正名是行输出变压器，也称为行包或行变，显示器的高压包和电视机的工作原理基本一致，其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。注意偏转电流的能量提供者并不是高压包，而是s校正电容，在行管截止时，b+电压通过高压包、偏转线圈对s电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温、高频率、高电压、大电流的状态，加上外部环境潮湿或多尘等因素影响，使高压包损坏几率较高。 二、引起高压包损坏的病灶。 1、包内高压滤波电容击穿。 2、包内高压线圈匝间短路。 3、包内高压硅堆漏电或击穿。 4、包内初次级线圈短路 5、包内聚焦组件老化，使聚焦及加速电压不稳定。 6、包体绝缘性能下降，使高压包对内或对外打火。 三、与高压包相关的关键词及专业术语。 1、hv——阳极高压。随着显示器尺寸不同，hv电压也不同。通常14/15寸机的hv值是24kv到25kv；17寸机是27kv到29kv，19寸和21寸机是30kv到35kv。 2、fv——聚焦电压，有时称为g4。fv电压通常在hv端以电阻电位器分压方式取得，电压值是3kv到9kv。如果是双聚焦的，就分为fv1和fv2，其实是内部多设一组电位器而已。 3、sv——加速极电压，也称为g2。sv/g2电压也从hv端分压取得，其电压值是300v到800v。注意有些高压包不从hv端分压输出sv/g2电压，而是在包内另设绕组，或在行管c极将逆程峰值整流获得，这样做的目的是使sv/g2受到电路控制，方便工业装配。注意在行管c极整流时获得sv/g2电压时，必须采用高速整流管，否则响应不到逆程峰值，只能得到与b+一样的电压。 4、df——动态聚焦。显示器尺寸增大时，屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀，就需要加入动态聚焦电路，使fv电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中，动聚通常加入到水平聚焦极中。其实就是一只10kv/102p电容接到fv而已。 5、sfr——包内聚焦组件中的fv/sv调整电位器冷端，通常是接地的，但有些机型将其用作信号取样，在高压变动时使电路作出补偿。 6、hvr——包内hv端取样电阻的冷端。此电阻直接取样于hv端，阻值大到必须兆欧表才能测量。其作用也是hv变动检测。 7、hvc——包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样，检测高压变动。 8、g1——栅极负电压。通常在包内绕组获得，g1电压值是-100v到-200v。控制g1电压可控制光栅亮度，进入显象管的g1电压是-30v到-100v，关机消亮点通常也在g1控制电路内完成，使关机时g1负压变低，显象管就被截止了。注意有些机型的g1电压是固定的甚至是接地的，它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压，关机消亮点方式是瞬间降低阴极电压，光栅瞬时高亮，将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣，调制g1可得到较大的亮度范围，但期间白平衡不均匀；调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定，但范围较小。 9、afc——行逆程脉冲。afc原意是自动频率控制，在显示器中，送入扫描芯片的同步信号、cpu需要的行检测信号和osd菜单所需要的行脉冲，都泛指为afc。afc取样可以在高压包内绕组输出，也可以在行管c极用分压电压取得，后者故障率较高。 10、fb——高压或二次电源取样信号。fb原意是频率返回，也就是行回扫脉冲，在显示器中，fb电压常作为高压包输出电压的参考点，反馈回二次电源，实现b+电压稳定输出。有时fb信号也与afc信号混在一起，并没有特别要求要独立取样。 11、abl——自动亮度控制。abl端总是内接高压绕组的冷端，用来检测hv的电流大小，当亮度过大时，hv电流必然增大，abl电路检测到这个情况，就可作出反应限制亮度再增加。建议维修人员配备100k电阻量程的万用表（mf10型）或兆欧表，就可测量abl端到hv帽的电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；又可以测量包内高压电容是否漏电。注意10k电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。 12、初次级绕组——接在高压包b+输入端和行管端的就是初级线圈，其他是次级线圈。初级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；而次级高压线包的线径极小而匝数极多，就容易发生匝间短路。 13、电感量——交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言，线圈的阻抗为零（忽略线材本身的电阻率），但对于高频信号，三几圈的感抗也很大。电感量的单位是ml（毫亨）。 14、正程和逆程——简单的说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。两者都有电流通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。 15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同的整流方式，所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大；逆程整流的电压高而电流小，但两者的输出功率相同。 16、绕组的极性——因为扫描正程和逆程的峰值不同，绕组的输出必须要区分正负极。如果高压包不需改动，那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的；如果要在磁芯中加绕线圈，就不能不注意其极性了。以800*600*60的分辩率即37k行频，在磁芯中绕一圈为例，将高压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边的线头是正端，右边的线头是负端。将负端接地，在正端接以正整流可得到约20v电压，接以负整流可得到-3v电压；将正端接地，在负端接以正整流可得到3v电压，接以负整流可得到-20v电压。大家一定要将以上理解清楚，在加绕线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流，反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。 17、高压独立——高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中，高压电流和偏转电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型的设计将高压电路独立出来，可以设计出更高效的电路形式，实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。 18、高压独立的电路结构——现在的高压独立电路大约有5种类型。 1）采用二次电源调整的单管输出形式。如下图，以sony-200gs为例，170v电压经过二次电源降到约80v输入高压包，开关管一只单独的场效应管，这种方式与传统的行输出相类似。 2）没有二次电源的单管输出形式。如下图，以sony-e220为例，80v电压直接输入高压包，开关管是一只单独的场效应管，这种方式要求开关管的激励控制电路，能控制较大的占空比，以得到较大的高压调整范围。 3）采用高电压的双管对称输出方式。如下图，以emc/ctx等机型较多采用，180v电压直接输入高压包，再接入一只n型场效应管，该管导通时初级线圈储能；在初级线圈两端反接一只p型场效应管，输入反相的激励，在n型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速释放，次级就感应出电压。 4）采用低电压的双管对称输出方式。如下图，以飞利浦机芯较多采用，80v电压直接输入高压包，再接入一只n型场效应管；另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；另一路倒相后驱动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只截止。 5）采用储能变压器的双管输出方式。如下图，这种方式最为复杂，以三星、dell机芯较多采用。190v电压先输入一只普通行管的c极，b极加以行激励，e极就输出以行频变化的方波，峰值仍是190v，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管e极也接到高压包初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管c极。在场效应管导通时变压器储能，在场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行频变化的方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正的开关管是场效应管。 19、高压独立高压包的绕组特点——由于在高压包内的电流近似于方波，效率很高，它的初级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；同时由于正程和逆程的差别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同，与上述15、16项对比，无论绕组在哪头接地，无论正整流还是负整流，所获得的电压值基本一样（类似于市电的交流变压器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高的电压，在800*600*60分辩率下，每圈的电压是6v到8v，比传统高压包在正程时每圈仅获得3v的电压值要高。 四、如何判断高压包是否损坏。 根据高压包病灶的6个类型，损坏后的症状略有不同。 1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏的最大成因，大约有四成的高压包损坏与它有关。包内高压电容的容量约为2700p，比显象管锥体所形成的电容1600p高一些，两个电容并联在一起总容量就有4300p以上，可以帮助减少屏幕的呼吸效应。由于包内高压电容的绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后hv端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧到数百千欧的阻值。这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表设10k档，测高压帽对地或对hvc端的阻值，正常时为无穷大，如出现阻值，可判断包内高压电容击穿。高压电容击穿后使hv输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间歇啸叫，并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增，abl端子所外接的电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏的明显表徵。 2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏的原因，由于包内次级短路，造成行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发生，因此包体发热严重，很容易判断。如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作，诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全的。 3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后，不经整流的交流高压加在滤波电容上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成的表象很接近，相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后，abl电阻并不一定烧毁，但行电流一样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？只能使用兆欧表或带有100k量程的万用表，将黑笔接地或abl端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接abl端），红笔接高压帽，正常时会有10兆欧左右阻值，（高压硅堆导通的内阻），将表笔对调，测量时表针会划动一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5兆欧），就基本可以确定包内高压硅堆漏电或击穿了。 4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了，b+被直接短路到地了，结果与行管击穿一样。 5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间延长，图像聚焦越来越差。在排除了管座、g2滤波电容及机内潮湿漏电后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦组件损坏了。 6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电弧产生。因为高压放电，hv电压瞬间下降，势必造成图像亮度及大小变动，甚至锁机或烧行管等。 五、高压损坏后的补救工作。 高压包的有些损坏情形是可以补救的。 第5类损坏情形，聚焦组件老化。现在大家可以买到一种单焦或双焦的外接聚焦器，其中双焦的还带df动聚输入。它的原理与包内聚焦组件一样。注意将聚焦组件取代后，原来的线头要做好绝缘处理，用热熔胶封口即可。 第1类损坏情形，包内高压电容击穿。只要看到hvc端是接地的，该高压包就可以修补恢复使用，而不需更换高压包。在测得高压帽对地电阻很低，并且hvc端接地后，就可大胆将高压包挖补修复。方法很简单，就是将损坏的高压电容去掉。用电钻对着hvc端钻孔，钻头大小随意，一般我用6到8mm，顺着hvc端子引线（有时hvc引线会横着走到其它地方，不理它跟着找到尽头）打孔深度不能超过1cm，否则打穿了高压电容内层，在填充绝缘物时就会不断冒出气泡，造成修补失败。打孔的目的是将hvc端与外界隔离，使高压封在包体内。打好孔后就是最后也是最重要的一环——填充环氧树脂。将高压包倒着垂直放置，使引脚水平，环氧树脂和固化剂按比例完全混合后，就可以倒入，份量最好是将引脚3mm以下全部封住（目的是使hvc端距离外界更远一些），一天后可完全硬化，两天达到最大强度，就可以上机使用了。 如果hvc端不接地，可否修补呢？其实是可以的，问题是如果hvc端是信号取样，去掉后必须要另找替代取样，或增加高压电容获取hvc端子，或在高压包磁芯上绕线匹配后取得信号，其麻烦程度还不如改一只包算了。 六、改高压包的准备工具。 1、电容电感表。最要紧的是电感表，可以测量原包与改包的绕组电感量，如果两者所有绕组电感量相差在10%以内，则成功率非常高。 2、万用表。最好配备有100k电阻量程的表，可以测量高压硅堆是否正常。 3、50v/2a的外部直流隔离电源。之所以用50v的电压，是因为该电压值较安全之余，还能产生勉强够的高压，让屏幕有显示，如果还有其它的故障隐患，便可在故障扩大之前看到并加以解决。 七、改高压包前的资料搜集。 1、高压包的引脚功能定义。 高压包一般是10个常规引脚，外加聚焦组件的2到5个引脚。将高压包引脚面向自己，u型口朝下，顺时针数分别是1到10脚。如下图所示，有些高压包的引脚没有这么多，通常的看法是常规的10只脚是不变的，（现在较新的高压包只有9只常规脚，连引脚相对位置都变小了，想改包的难度较大，这里不作讨论），于是从第11脚开始顺延下去，没有如果下图所示的11脚，就将12脚定为11脚，如此类推。至于图中的第16脚，有些有空脚，内接线包的绝缘层，有些则是abl引脚，但绝大多数与abl接在一起。