场效应管的管脚排列规律

场效应管的管脚排列规律

场效应管的管脚排列规律是这样的：带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

你好：
——★  请看场效应管的管脚排列规律：（Gate ：栅极；Drain：源极；Source：漏极）











追问你好，结型N沟道和P沟道是指什么？追答
指场效应管的材料：N 型，还是 P 型。

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