CSP封装和BGA封装相比，下面哪些说法是正确的？

CSP封装和BGA封装相比，下面哪些说法是正确的？

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CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。

CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。

CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限,CSP原则上可以制造1000根），这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外，CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。

在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。

CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。

目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺，良品率比较低。而如果将制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话，良品率将大大提高。而要达到这种工艺水平，采用CSP封装方式则是不可避免的。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋。