在CMOS工艺的剖面图中,P衬底上的P+和N阱中的N+分别起什么作用
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解决时间 2021-03-17 00:09
- 提问者网友：献世佛
- 2021-03-16 19:35
在CMOS工艺的剖面图中,P衬底上的P+和N阱中的N+分别起什么作用
最佳答案
- 五星知识达人网友：第幾種人
- 2021-03-16 21:14
貌似..是源漏外接时，高掺杂才能形成欧姆接触，所以用+。同时也是为了防止latch-up效应（shan锁），那两个接触高掺杂是衬底和Well的偏置连接点，NMOS是P+接gnd，PMOS是N+接到vdd，还有一个作用貌似是可以收集衬底上的电流，也就是偏置让电路更稳定，避免latchup和衬底偏置效应引起的阈值电压变化，等一系列寄生效应。
全部回答
- 1楼网友：走死在岁月里
- 2021-03-16 22:43
用来减小漏电流
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