小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？

小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v？有人能解释清楚吗？

对于NPN型的硅三极管，0.7V是PN结正偏时的导通压降，即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降。而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降。由于饱和时，三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue)，集电结正偏(Ub>Uc)，因此，饱和时，C到E之间的压降不可能高于0.7V的，否则就不能满足饱和的条件了。而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。

可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。？
你们书写错了，饱和时的VCE不可能是0.7V，而是0.3V！

8050npn三极管小电流饱和Vce好像只有0.01v左右，不到0.1v

在管子饱和导通时，二个结正向偏置，Vbe约0.7V，Vbc=0.3--0.4V（不为0）；故Vce=Vbe-Vbc=0.3V左右。
不知道这样的解释使你满意吗？呵呵！

3楼说的不错，我补充一点，小功率三极管的饱和压降还和管子的材质有关，分硅和锗两种；NPN型硅管的饱和压降Vce为0.3~0.4V之间，锗管的饱和压降为0.2~0.3V；另外饱和还分临界饱和、饱和、深度饱和，且上述3种情况下Vce有差别。当Vce=Vbe=0.7V时为临界饱和。