碳化硅肖特基二极管真的没有反向恢复电流吗？哪位专业人士知道？

碳化硅肖特基二极管真的没有反向恢复电流吗？哪位专业人士知道？

记得功率肖特基二极管刚出现的时候，很多文章都告诉我们：肖特基二极管是多数载流子导电的，不存在反向恢复电流。 如果现在还有人这么说，有经验的开关电源工程师都会对此嗤之以鼻吧。 按照一些更详细的肖特基二极管模型，这种二极管内部实际上还是存在少数载流子的，只不过这些少数载流子可以说是在电场中感应出来的，数量相对较少。通常少数载流子电流在总电流中所占的份额比较少。 硅基肖特基二极管反向恢复时间，现在似乎一般认为不超过10ns。 SiC肖特基二极管做为一种新型的功率器件，在某些方面相对原有的快恢复二极管性能有明显的优势，特别是反向恢复电流这个参数。 现在很多文章都宣称，SiC SBD没有反向恢复电流。说实在的，我对此很有疑虑，从原理上来讲，似乎这是说不通的。 昨晚我我无意中在一篇论文里面见到一个表格，这个表格或许能解答这个问题（当然，这些数据的来源可靠性我不敢保证）： 根据这个表格里面的数据，SiC中的少子寿命居然比Si小6个数量级，这就意味着SiC PN结的反向恢复时间只有Si N结的约100万分之一！ 虽然快恢复二极管中，采用掺杂金原子等手段来减少少数载流子的寿命，两种材料的开关速度相差不至于到100万倍的差异，但从这些数据我们可以大致认为SiC二极管可以拥有比Si二极管短的多的反向回复时间。 另一方面，Si SBD由于其原理反向恢复时间比超快恢复二极管反向恢复时间更短。同理，我们也可以预期SiC SBD的反向恢复时间也能比SiC PN结短。 结论： 根据已知的资料，大概我们可以合理的认为SiC SBD应该有一个非常短的反向恢复时间。 而且，我们还可以预期SiC SBD的反向恢复非常短，以至于在MOSFET有限的开关速度驱动下，我们甚至几乎无法测量到明显的反向恢复波形——我们能够测量到的类似波形，基本上可以由二极管的结电容来解释。

高频快恢复二极管就是反向恢复速度很快且频率快的意思。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

关于二极管的反向恢复电流 理想的二极管在承受反向电压时截止，不会有反向电流通过。而实际二极管正向导通时，PN结内的电荷被积累，当二极管承受反向电压时，PN结内积累的电荷将释放并形成一个反向恢复电流，它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。因此，输出整流二极管的反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。可以通过在二极管两端并联RC缓冲器，以抑制其反向恢复噪声. 碳化硅材料的肖特基二极管，恢复电流极小，特别适合用于APFC电路，可以使电路简洁很多。