晶体管工作原理

晶体管工作原理

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
　　严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

　　晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。
　　晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
　　晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。

mos晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管，利用半导体的场效应，进行信号放大。就是利用栅极控制电压形成的电场，来控制沟道里感应电荷的多少，进而改变导电沟道的状态，达到控制漏极电流的效果。根据制作方法不同，有两种类型。一种在0控制电压下没有漏极电流，为增强型，一种0控制电压也会有较大的漏极电流，为耗散型。因为栅极是绝缘的，只用电压控制，没有电流，所以输入阻抗很高，有点象电子管。因此也就没有一般晶体管的电流放大倍数，有一个衡量放大能力的参数，电子管叫跨导，这里叫什么不记得了。不好意思。

以上是本人的理解和记忆，不知是否符合你的要求？但愿能有所帮助。