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为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高

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解决时间 2021-01-23 11:57
为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高
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我以N型半导体给你举一个例子:单位体积的硅原子数为10^22cm^-3,若杂质含量为10^-4(万分之一),则杂质原子浓度为10^18cm^-3。在常温下,杂质能级上的电子即使只有十分之一被激发到导带中,其浓度也为10^17cm^-3。而常温下硅的本征载流子浓度只有10^10cm^-3的量级。可见N型半导体中多数载流子是电子,而少数载流子是本征载流子(电子空穴对)。可见,在室温附近,许多元素半导体本征载流子为数极少,所以本征半导体电阻仍很高。而在同一温度下,掺杂半导体的导电能力为本征半导体的数百倍及其以上。
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留连戏蝶时时舞,自在娇莺恰恰啼。
温度可以由空气,泥土等导热
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