常用物理传感器有哪些,新型传感器有哪些？

常用物理传感器有哪些,新型传感器有哪些？

一、固态图象传感器（CCD）
其工作过程是：首先由光学系统将被测物体成象在CCD的受光面上，受光面下的许多光敏单元形成了许多象素点，这些象素点将投射到它的光强转换成电荷信号并存储。然后在时钟脉冲信号控制下，将反映光象的被存储的电荷信号读取并顺序输出，从而完成了从光图象到电信号的转化过程。CCD传感器由MOS电容组成，金属和Si衬底是电容器两极，SiO2为介质。在金属栅上加正向电压UG，Si中的电子被吸引到衬底和SiO2的交界面上，空穴被排斥，于是在电极下形成一个表面带负电荷的耗尽区。
1.CCD的基本结构和原理
CCD的基本结构，是在N型或P型硅衬底上生成一层厚度约120nm的二氧化硅层，然后在二氧化硅层上依一定次序沉积金属电极，形成MOS电容器阵列，最后加上输入和输出端便构成了CCD器件。CCD的工作原理是建立在CCD的基本功能上，即电荷的产生、存储和转移。
（1）电荷的产生、存储 构成CCD的基本单元是MOS电容器，结构中半导体以P型硅为例，金属电极和硅衬底是电容器两极，SiO2为介质。在金属电极（栅极）上加正向电压 G时，由此形成的电场穿过SiO2 薄层，吸引硅中的电子在Si―SiO2的界面上，而排斥Si－SiO2界面附近的空穴，因此形成一个表面带负电荷，而里面没有电子和空穴的耗尽区。与此同时，Si－SiO2界面处的电势（称表面势 S）发生相应变化，若取硅衬底内的电位为零，表面势 S的正值方向朝下，如图1-45b所示。当金属电极上所加的电压 G超过MOS晶体上开启电压时，Si－SiO2界面可存储电子。由于电子在那里势能较低，可以形象地说，半导体表面形成了电子势阱，习惯称贮存在MOS势阱中的电荷为电荷包。图示
当光信号照射到CCD硅片表面时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子--空穴对。这时在栅极电压 G的作用下，其中空穴被排斥出耗尽区而电子则被收集在势阱中，形成信号电荷存储起来。如果 G持续时间不长，则在各个MOS电容器的势阱中蓄积的电荷量取决于照射到该点的光强。因此，某MOS电容器势阱中蓄积的电荷量，可作为该点光强的度量。
（2）电荷包的转移
若MOS电容器之间排列足够紧密（通常相邻MOS电容电极间隙小于3μm），使相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合，那么就可使信号电荷（电子）在各个势阱中转移，并力图向表面势 S最大的位置堆积。因此，在各个栅极上加以不同幅值的正向脉冲 G，就可改变它们对应的MOS的表面势 S，亦即可改变势阱的深度，从而使信号电荷由浅阱向深阱自由移动。三个MOS电容器在三相交迭脉冲电压作用下，其电荷包耦合转移过程如图所示。
（3）电荷的输出（检测） CCD中电荷信号的输出方式有多种方法，浮置扩散放大器输出结构　如图所示。
2.CCD的应用
二、光纤传感器
光纤传感器以光学量转换为基础，以光信号为变换和传输的载体，利用光导纤维输送光信号的传感器。按光纤的作用，光纤传感器可分为功能型和传光型两种。功能型光纤传感器既起着传输光信号作用，又可作敏感元件；传光型光纤则仅起传输光信号作用。
1.光纤结构及传光原理
光纤一般为圆柱形结构，由纤芯、包层和保护层组成。纤芯由石英玻璃或塑料拉成，位于光纤中心，直径为5~75μm；纤芯外是包层，有一层或多层结构，总直径在100~200μm左右，包层材料一般为纯SiO2中掺微量杂质，其折射率 2略低于纤芯折射率 1；包层外面涂有涂料（即保护层），其作用是保护光纤不受损害，增强机械强度，保护层折射率 3远远大于 2。这种结构能将光波限制在纤芯中传输。全反射原理　 光纤传播原理
2.光纤传感器的......余下全文>>