怎样可以让内部储存空间,清除完整性

怎样可以让内部储存空间,清除完整性

我也红米,那个手机内部存储空间在什么手机文件夹是找不到的,只有把手机root了,然后下载一个re中文管理器,根目录里的文件夹除了sdcard和storage不用看,其他文件夹都看属性,哪个属性大,就是那个文件占用最大了...

闪存(flash memory)是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。 其存储物理机制实际上为一种新型eeprom（电可擦除可编程只读存储）。是scm（半导体存储器）的一种。 早期的scm采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的scm采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前scm广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管（mos），包括pmos、nmos、cmos三类，尤其是nmos和cmos应用最广泛。 ram（随机存取存储），是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。ram又分为dram（动态）和sram（静态）两种，我们现在普遍使用的pc机内存即是sdram（同步动态ram），它在运行过程当中需要按一定频率进行充电（刷新）以维持信息。ddr ddr2内存也属于sdram。而sram不需要频繁刷新，成本比dram高，主要用在cpu集成的缓存（cache）上。 prom（可编程rom）则只能写入一次，写入后不能再更改。 eprom（可擦除prom）这种eprom在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。 eeprom（电可擦除prom），用户可以通过程序的控制进行读写操作。 闪存实际上是eeprom的一种。一般mos闸极(gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而flash memory的特色是在控制闸(control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得flash memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。 flash memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。flash memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的eeprom芯片每次只能擦除一个字节，而flash memory每次可擦写一块或整个芯片。flash memory的工作速度大幅领先于传统eeprom芯片。 msm（磁表面存储）是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息"0"和"1"。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的msm是磁盘和磁带存储器。硬盘属于msm设备。 odm（光盘存储）和msm类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。 odm是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的odm。cd-rom、dvd-rom等都是常见的odm。