能带图里的带隙与态密度图里的带隙大小不同怎么办

能带图里的带隙与态密度图里的带隙大小不同怎么办

大家都知道LDA和GGA在计算的时候会低估带隙，正常的硅禁带宽度是1.12ev，我算出来的是0.59ev，请问这对分析能带结构会带来影响么，或者本身这就是错误的不能拿来分析？可以怎样解决这种低估问题使计算的结果和实际结果吻合？还有，计算的带隙确。
Xps可以测，但你要和测试的人说，他会在带隙附件测态密度，然后你可以通过作图得到带隙宽度 学习了，支持高人！！！！！！。

能带宽度越宽就越不容易被激发也就是所谓的导电。导体、半导体、不导体直接的界限其实并不明确。一般金属的能带宽都很小几个电子伏，一般是7个电子伏(好像是7.8)以下就可以认为是导体。20几个电子伏(好像是24左右)以上定为不导体。其实这个具体界限不用这么在意，因为真正使用材料的时候注意的是能带宽是几个电子伏，不会在意是金属还是半导体这个名词。所以提到这个界限的书籍也不是太多。