1700V的IGBT芯片英飞凌有哪些电流参数？

1700V的IGBT芯片英飞凌有哪些电流参数？

1700V英飞凌IGBT芯片晶圆

SIGC42T170R3GE       1700V     29A
SIGC68T170R3E         1700V     50A
IGC89T170S8RM        1700V     75A
SIGC101T170R3E       1700V     75A
IGC114T170S8RH       1700V     100A
IGC114T170S8RM      1700V     100A
SIGC128T170R3E        1700V     100A
IGC136T170S8RH2      1700V     117.5A
SIGC158T170R3E       1700V     125A
IGC168T170S8RH       1700V     150A
IGC168T170S8RM      1700V     150A
SIGC186T170R3E       1700V     150A

spirit and soul of virtue.

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。