请教EPI是什么工艺 ？

小弟请教EPI是什么工艺 ？

跟LPCVD 差不多

外延生长是在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。外延生长技术发展于50年代末60年代初。

外延(epitaxy, 简称epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层(si/si)，也可以是异质外延层(sige/si 或sic/si等)；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延(mbe)，超高真空化学气相沉积(uhv/cvd)，常压及减压外延(atm rp epi)等等。

Epi_wafer: 在single crystal wafer上再dep一层single crystal Si ,Improve the performance of bipolar transistor, with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance. Lightly doped epiwafer minimizes latch-up effect, accurately controlled doing concentration.是在原本Heavily doped substrate上，以的方式成长一层Lightly doped Epi-layer，以作为CMOS制程的底材。因此CMOS是直接建立在Lightly doped Epi-layer上，而Heavily doped substrate则作为接地。此可使CMOS中直立式pnp双载子寄生电晶体的电流不易横向地流往寄生的npn电晶体，而流向Heavily doped substrate。因为底材接地，寄生pnp与npn的闭锁(Latch up)现象可被抑制，但相对使用Epi-Wafer会提高成本。