由于硅材料是间接带隙的半导体材料，因此不易放光。

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解决时间 2021-04-19 22:52

提问者网友：抽煙菂渘情少年
2021-04-19 15:32

最佳答案

五星知识达人网友：话散在刀尖上
2021-04-19 17:03

简单点说，从能带图谱可以看出，间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化，这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了，这样会极大的几率将能量释放给晶格，转化为声子，变成热能释放掉。

而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。

想让间接带隙材料发光，可以采用参杂引入客发光体，将能量引入客发光体使其发光（提高发光效率）

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1楼网友：醉吻情书
2021-04-19 18:30

话没错,直接带隙半导体材料就容易发光,间接带隙的半导体材料不容易发光,具体去参考半导体物理.
材料本身是不会发光,这是能量守衡决定的.材料吸收外来的能量源(电能/光能均可),使价带的电子激发到导带上,然后通过辐射跃迁,发出光子.间接带隙的半导体材料在跃迁时会产生声子,严重影响发光.
结构和措施很多,但材料必须是直接带隙半导体材料.

2楼网友：琴狂剑也妄
2021-04-19 18:07

简单点说，从能带图谱可以看出，间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化，这意味着电子跃迁前后在K空间的位置不一样了，这样会极大的几率将能量释放给晶格，转化为声子，变成热能释放掉。
而直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。
想让间接带隙材料发光，可以采用参杂引入客发光体，将能量引入客发光体使其发光（提高发光效率）

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