漂移电流是什么电流

漂移电流是什么电流

问题一：漂移电流是什么电流 少子在电场力的作用下,形成与扩散电流反向的电流,即漂移电流.（扩散电流是从多子到少子的电子流动而形成的电流）穿透电流是晶体三极管基极未加正向偏压或开路时 流过集电极-发射极的电流与晶体管的反向电阻和温度有关 称作ICEO问题二：漂移电流是什么电流他由什么载流子形成其大小与什么有关 有半导体PN结内电场作用下载流子运动形成的电流称为“漂移”电流。其大小与“结”内电场大小、可供漂移的载流子浓度有关，该内电场越大、可供漂移的载流子浓度越高，其所形成的漂移电流越大。问题三：漂移电流是什么电流 漂移电流：是在没有电场作用时，半导体中载流子在运动中，不时遭到散射，作杂乱无章的热运动，并不形成电流。当有电场存在时，使所有载流子沿电场力方向作定向运动。这种载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动。所构成的电流为漂移电流。问题四：漂移电流的介绍 漂移电流（driftcurrent）是在没有电场作用时，半导体中载流子在运动中不时遭到散射作杂乱无章的热运动，并不形成电流。问题五：在PN结原理讲解中，漂移电流和扩散电流平衡，怎么理解呀？ 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区。
在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区就形成了一个内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。
另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。问题六：模拟电子技术基础中漂移电流的形成与什么因素有关 模拟电子技术中漂移电流的形成与少数载流子有关。漂移电流就是反向漏电流。很多情况下，少数载流子、漂移电流及反向漏电流都可以忽略不计。所以传统的模拟电子技术基础教科书片面强调少数载流子及漂移电流，忽略至关重要的PN结自由电子扩散势，是严重错误的，恰好是结果是拣了芝麻丢了西瓜，把模电书写的迷迷瞪瞪，糊弄了读者。很多大学模拟电子技术课程考试及格率只有20%~30%，与此有直接关系。
现在，已经有越来越多的作者发现了这个大错误，新模拟电子技术教科书开始用扩散势与内电场内建电势相平衡来解释PN结内电场的形成。典型的就是元增民写作的《模拟电子技术》中国电力出版社、《模拟电子技术》修订版，清华大学出版社，以及《模拟电子技术简明教程》清华大学出版社2014，已经为国内十几个大学模电教学选用，还为银孚、磁针等注册电气工程师执业资格考试模数电培训采用，获得很好效果。大学生课程考试彻底扭转了了考试及格率低下的窘局，及格率达到95%以上，注电基础考试通过率是全国平均值的3倍以上，学生（学员）欢天喜地。问题七：什么是吸收电流 对于输入电流的器件而言：如果内部电流通过芯片引脚从芯片内‘流出’称为拉电流，即：吸收电流；是主动的。问题八：当pn结正向偏置时扩散电流和漂移电流的关系 正偏越大，扩散电流越大，漂移电流越小，饱和导通，扩散电流最大，漂移电流最小。反过来pn结截止时，扩散电流最小，漂移电流最大。

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