x射线传感器和ccd相机的区别

ccd相机能探测芯片内部电路么 ，我看了 几个探伤机器人怎么都是用相机

X射线传感器？？应该是X射线探测器吧！！
X射线探测器包括很多种类别。不知道你说的是那种。
就拿常见的X射线探测器来说吧，晶体有钨酸隔的，有碘化铯的，有硫氧化噶的，他们都是X光转换成可见光，后进过光电二极管，经过放大等一些列处理后形成数字信号，传给计算机的。
CCD相机？是普通的照相机还是无损射线照相机？从你的问题补充的来看，多半理解你的意思，是无损检测的CCD摄像机。
CCD：有闪烁体或荧光体加上光学镜头再加CCD（charge couping device）构成 。影像形成分成两步完成，第一步，x 射线经过闪烁晶体（碘化铯或磷）产生可见光，第二步，可见光经光电转换由CCD转变成电荷。

比较：
1、 技术比较
1.1非晶硅平板探测器
由闪烁体或荧光体层涂上有光电二极体管作用的非晶硅层加上TFT阵列构成，矩阵中的最小单元（像素）是由薄膜非晶态硅制成的光电二极管，用以将光转换成电荷沉积。在光电二极管矩阵上被覆有掺铊的碘化铯闪烁光电晶体。透过被检体后的入射X线，激发光电二级管产生电流，随之就在光电二极管自身的电容上积分形成储存电荷，每一像素的存储电荷量和与之对应的范围内的入射X线光子能量和数量成正比，非晶硅平板探测器的技术难点，结构性CSI的制造工艺比较复杂，且需光敏二级管。
1.2、非晶硒平板探测器
用非晶硒涂覆在TFT阵列上，透过被检体后的入射X线再硒层中产生电子——空穴对，在外施偏压的电场作用下，电子和空穴向相反的方向移动形成电流，随之在TFT 积分形成存储电荷。平板薄膜晶体管（thinfilm transistor TFT）技术制成高分辨率实时成像板采集图像。非晶硒平板探测器的技术难点，要外加数千伏高压，这会对TFT 开关构成威胁
1.3、CCD探测器
有闪烁体或荧光体加上光学镜头再加CCD（charge couping device）构成 影像形成分成两步完成，第一步，x 射线经过闪烁晶体（碘化铯或磷）产生可见光，第二步，可见光经光电转换由CCD转变成电荷。CCD 技术难点，光能损耗失和和光学镜头的几何失真。
2性能比较
非晶硒平板探测器是真正意义上的直接数字化摄影，因为在影像形成过程中，无可见光产生，因而不会因可见光的散射和折射造成光能的损耗和曝光剂量的增加以及光学几何失真，高分辨率实时成像。
非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器一样是大面积的平板结构。无需放大，无几何失真。
CCD 探测器，单个CCD芯片可以做成，5*5cm 这可以使得像素数增加，可达1700万像素，平行光和CCD的感应光层采用氧化锡硒材料来增强可见光的传输率，可使得光能损耗损耗到最低，几何失真降到最小，具有成像速度快，曝光剂量小的特点。
3稳定性比较
硒和硅在自然界中是以晶体的形态存在的 ，故而非晶态硒和硅在常温下的稳定性较差，平板非晶硅和硒对环境 温度要求比价高，设备的准备时间比价长，CCD探测器技术，早非晶硅和硒平板约30年，故而比较成熟，对环境的要求不高，设备的准备的时间比较短。

x射线图像传感器的感光面积要求要远远大于可见光ccd，例如前者为43cm × 43cm，后者常见的最多为0.36cm × 0.24cm。由于可见光ccd根本无法做到这么大的面积，所以x射线图像传感器的原理和材料与可见光ccd有较大区别。 早期的x射线图像传感器靠光学的方法把x荧光屏上图像映射到很小的ccd上来实现，这种方法结构复杂、体积大、技术性能差。 现在，有2种直接记录大尺寸x射线的方法：基于闪烁屏+光二极管阵列和非晶硒x射线成像板。 前者是让x射线先打在闪烁屏上发光，然后由紧靠的与闪烁屏同样大小的光二极管阵列将图像转换为电信号。 后者，可以直接将x射线转换为电信号。