mos管哪个参数决定了驱动能力

mos管哪个参数决定了驱动能力

电压或电流是否达到设定标准的能力，即是能否够带动起输出所接负载的能力。
也就是跟导通相关的电压 、电流、和内阻。如下
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。

引用浪子漂浮的回答：
电压或电流是否达到设定标准的能力，即是能否够带动起输出所接负载的能力。
也就是跟导通相关的电压 、电流、和内阻。如下
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。“Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。”

当Vgs=0时候，MOS承受的最大电压应该看Vds。正常的Vds都在-20V~+20V之间