骁龙835比821强多少
答案:2 悬赏:30 手机版
解决时间 2021-02-18 12:51
- 提问者网友:别再叽里呱啦
- 2021-02-17 15:14
骁龙835比821强多少
最佳答案
- 五星知识达人网友:野慌
- 2021-02-17 15:23
先来看看高通骁龙835新特性:
Quick Charge 4.0快充
骁龙835搭载了更高规格的快充技术,兼容USB Type-C,较上一代QC3.0快20%,充电的安全性进一步加强,充电5分钟,可以通话5小时。
10nm工艺、功耗降低25%
骁龙835处理器采用了目前最先进的10nm工艺,整个芯片封装尺寸减小35%,功耗相比骁龙821降低了25%,带来了功耗,并且有利于减少发热与提升续航。
性能提升
骁龙835处理器采用了高通自助的Kryo280架构,采用4大核+4小核的设计,大小核最高主频分别为2.45GHz和1.9GHz。并集成了Adreno 540 GPU,支持4K显示分辨率;支持4K屏、UFS 2.1闪存标准,LPDDR4x四通道内存、VR、双摄支持等,性能提升明显。
其它
骁龙835还支持更高规格的X16 LTE调制解调器,并且支持最新的蓝牙5技术。
骁龙835和821有什么区别?
高通骁龙835作为821的升级版,区别主要在于以下几个方面:
骁龙835和821的区别
1、性能提升
骁龙835再次回到了八核心设计,内置的GPU也更强,综合性能相比四核的骁龙821有了明显的提升。
2、功耗更低
骁龙821为14nm工艺,而骁龙835提升到了更先进的10nm工艺,功耗降低了25%,提升明显。这意味着,骁龙835在发热控制与续航方面,会更给力。
3、快充升级
骁龙821配备的是QC3.0快充技术,号称充电5分钟,通话2小时。而骁龙835则配备了更先进的QC4.0快充技术,充电速度更快,综合快速表现提升了20%,号称充电5分钟,通话5小时。
4、其它区别
骁龙835相比821其它的区别在于基带和蓝牙支持等,骁龙835作为升级版,支持更高规格的基带和蓝牙5.0,另外对双摄像头支持也更好,并支持4K屏、8GB大内存等。
编后语:
总的来说,骁龙835相比骁龙821,不仅性能更强,而且功耗更低,续航更给力,另外还有更高规格的快充、基带、双摄、蓝牙5.0支持,综合表现提升还是非常明显的,它无疑将是今年安卓旗舰机最火的处理器。
Quick Charge 4.0快充
骁龙835搭载了更高规格的快充技术,兼容USB Type-C,较上一代QC3.0快20%,充电的安全性进一步加强,充电5分钟,可以通话5小时。
10nm工艺、功耗降低25%
骁龙835处理器采用了目前最先进的10nm工艺,整个芯片封装尺寸减小35%,功耗相比骁龙821降低了25%,带来了功耗,并且有利于减少发热与提升续航。
性能提升
骁龙835处理器采用了高通自助的Kryo280架构,采用4大核+4小核的设计,大小核最高主频分别为2.45GHz和1.9GHz。并集成了Adreno 540 GPU,支持4K显示分辨率;支持4K屏、UFS 2.1闪存标准,LPDDR4x四通道内存、VR、双摄支持等,性能提升明显。
其它
骁龙835还支持更高规格的X16 LTE调制解调器,并且支持最新的蓝牙5技术。
骁龙835和821有什么区别?
高通骁龙835作为821的升级版,区别主要在于以下几个方面:
骁龙835和821的区别
1、性能提升
骁龙835再次回到了八核心设计,内置的GPU也更强,综合性能相比四核的骁龙821有了明显的提升。
2、功耗更低
骁龙821为14nm工艺,而骁龙835提升到了更先进的10nm工艺,功耗降低了25%,提升明显。这意味着,骁龙835在发热控制与续航方面,会更给力。
3、快充升级
骁龙821配备的是QC3.0快充技术,号称充电5分钟,通话2小时。而骁龙835则配备了更先进的QC4.0快充技术,充电速度更快,综合快速表现提升了20%,号称充电5分钟,通话5小时。
4、其它区别
骁龙835相比821其它的区别在于基带和蓝牙支持等,骁龙835作为升级版,支持更高规格的基带和蓝牙5.0,另外对双摄像头支持也更好,并支持4K屏、8GB大内存等。
编后语:
总的来说,骁龙835相比骁龙821,不仅性能更强,而且功耗更低,续航更给力,另外还有更高规格的快充、基带、双摄、蓝牙5.0支持,综合表现提升还是非常明显的,它无疑将是今年安卓旗舰机最火的处理器。
全部回答
- 1楼网友:迷人又混蛋
- 2021-02-17 16:37
cpu性能提升并不高,主要是工艺的提升,10nn工艺比高通820 821 14nn工艺更好,工艺好主要体现在功耗上,发热量比821更小,耗电上比821更省电,这才是重点。
骁龙835性能
1.制造工艺
高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%,效率提升40%,高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 finfet工艺的量产。与其上一代14纳米finfet工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米finfet工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让oem厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会提升电池续航。
2.快速充电
新的骁龙835处理器,支持quick charge 4快速充电,比起quick charge 3.0,其充电速度提升20%,充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸,能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。
3.效率提升
目前高通并未公布骁龙835的更多信息,但表示10nm工艺将会带来更好的性能,提升功率效率,作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。
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