LED的PN结是如何制成的?

发光二极管的实质性结构是半导体PN结.在PN结上加正向电压时注入少数载流子,少数载流子的复合发光就是发光二极管的工作机理.PN结就是指在一单晶中,具有相邻的P区和N区的结构,它通常是在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的.如曾用离子注入法制成碳化硅蓝色LED
,用扩散法制成GaAs、GaAs0.60P0.40/GaAs0.35P0.65：N/GaP、GaAs0.15P0.85：N/GaP、GaP：ZnO/GaP的红外、红光、橙光、黄光、红光LED
,而GaAlAs、InGaN、InGaAlP超高亮度LED都是由生长结制成,效率较高的GaAs、GaP：ZnO/GaP和GaP：N/GaP LEDPN
结也是用生长结制成的.生长结一般较扩散法和离子注入法是过补偿制成PN结,无用杂质过多且造成晶体质量下降,缺陷增多,使用权非辐射复合增加,导致发光效率下降.