pvd与cvd在所得薄膜形貌上有何区别

pvd与cvd在所得薄膜形貌上有何区别

PVD与CVD的对比
CVD定义：
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等

用什么的都有，因为oled的封装很重要，研发的相关技术非常多，五花八门用什么的都有。而且一般可能都是复合封装，比如有机无机叠层等，所以也可能几种成膜或沉积技术都用，也不限于cvd和pvd。