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为什么双异质结半导体激光器比同质结半导体激光器有低得多的阈值电流密度

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解决时间 2021-11-17 15:17
为什么双异质结半导体激光器比同质结半导体激光器有低得多的阈值电流密度
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异质结就是由带隙及折射率都不同的两种半导体材料构成的PN结。同质结就是同一种半导体形成的结。双异质结是利用不同折射率的材料对光波进行限制,利用不同带隙的材料对载流子进行限制。拿P-P-N型双异质结激光器来说,注入到“结”界面处的载流子受到异质结的阻挡,形成很好的侧向限制,产生所谓的超注入现象。这就像是十字路口堵车一样,这些载流子挤在一块,导致密度显著增加,只要加很小的泵浦电压即可以实现粒子束反转。而同质结激光器则没有这种情况,它的能带图不像双异质结的那样在“结”处有褶皱,而是平坦的,载流子不会在“结”处拥堵,密度远小于双异质结在“结”处的载流子密度。这导致了泵浦时它们阈值电流密度的差异。
楼主要好好学习...
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这是靠 :灯、放大竟(要一定的距离)、电力、……制成的(激光)
因为异质结可以对注入到界面处的载流子形成很好的侧向限制,形成所谓的超注入现象
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