IGBT,可控硅,MOSFET的工作原理,区别。

IGBT,可控硅,MOSFET的工作原理,区别。

可控硅就是晶闸管，半导体开关。
MOSFET绝缘栅极场效晶体管，驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
igbt绝缘栅双极型晶体管，综合了GTR饱和压降低，载流密度大的特点和MOSFET的特点。
不难看出都是用于电子开关的器件，应用场合不同时，有时会存在很大优势

mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。 igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。所以不适合用于低电压电路，相对来说开关损耗会变大。 可控硅了解不多，它只能是导通和截止，不像mos和igbt会有放大状态。 价格应该可控硅最贵，igbt次之，mosfet最便宜。