集成电路焊接工艺的芯片焊接

集成电路焊接工艺的芯片焊接

将分割成单个电路的芯片，装配到金属引线框架或管座上。芯片焊接工艺可分为两类。①低熔点合金焊接法：采用的焊接材料有金硅合金、金镓合金、铟铅银合金、铅锡银合金等。②粘合法:用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。
应用较广、可靠性较高的是用98%的纯金和 2%的硅配制成的金硅合金片（最低共熔点为 370℃）。在氮气和氢气保护下或在真空状态下，金硅合金不仅能与芯片硅材料形成合金，而且也能同时与金属引线框架上局部镀层的金或银形成合金，从而获得良好的欧姆接触和牢固的焊接效果.
集成电路塑料封装中,也常采用低温(200℃以下)银浆、银泥或导电胶以粘合的形式进行芯片焊接。另外，烧结时（即芯片粘完银浆后烘焙），气氛和温度视所采用的银浆种类不同而定。低温银浆多在空气中烧结，温度为150～250℃；高温银浆采用氮气保护，烧结温度为380～400℃。