U盘是怎么工作的,原理又是什么
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解决时间 2021-03-24 22:08
- 提问者网友:捧腹剧
- 2021-03-24 15:12
U盘是怎么工作的,原理又是什么
最佳答案
- 五星知识达人网友:轻熟杀无赦
- 2021-03-24 15:40
U盘主要一个控制芯片 + Memory (nand Flash )+USB接口
控制芯片 是一个驱动作用
Flash 是常说的内存芯片
Flash Memory的标准物理结构称之为位(cell),其特色为一般MOS的闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory在控制闸(Control gate)与通道间却多了一层物质,称之为浮闸(floating gate)。拜这层浮闸之赐,使得Flash Memory可以完成三种基本操作模式,亦即读(byte或word)、写(byte或word)、抹除(一个或多个内存空间),就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,保存数据的完整性。
由于浮闸的物理特性与结构,使得当浮闸被注入负电子时,此一位就由数字"1"被写成"0";相对的当负电子从浮闸中移走后,此一位就由数字"0"变成"1",此过程称之为抹除。目前产业界有许多将负电子注入浮闸或移除技术的探讨,其中热电子注入法(hot-electron injection),是当源极(source)接地,控制闸的电压大于汲极(Drain)的电压时,浮闸与通道间氧化层的能量带会变得很狭隘,因此在通道中的负电子会被加速自通道上跳到浮闸中,进而完成写的动作。同样的原理可以运用在抹除的功能上,当控制闸接地且源极接至一个高压时,浮闸上的负电子将会自浮闸中拉至源极,进而完成抹除的动作。Flash Memory就是透过这种负电子存放或移除于浮闸的原理,使得本身具有重复读写的特性。
控制芯片 是一个驱动作用
Flash 是常说的内存芯片
Flash Memory的标准物理结构称之为位(cell),其特色为一般MOS的闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory在控制闸(Control gate)与通道间却多了一层物质,称之为浮闸(floating gate)。拜这层浮闸之赐,使得Flash Memory可以完成三种基本操作模式,亦即读(byte或word)、写(byte或word)、抹除(一个或多个内存空间),就算在不提供电源给内存的环境下,也能透过此浮闸,保存数据的完整性。
由于浮闸的物理特性与结构,使得当浮闸被注入负电子时,此一位就由数字"1"被写成"0";相对的当负电子从浮闸中移走后,此一位就由数字"0"变成"1",此过程称之为抹除。目前产业界有许多将负电子注入浮闸或移除技术的探讨,其中热电子注入法(hot-electron injection),是当源极(source)接地,控制闸的电压大于汲极(Drain)的电压时,浮闸与通道间氧化层的能量带会变得很狭隘,因此在通道中的负电子会被加速自通道上跳到浮闸中,进而完成写的动作。同样的原理可以运用在抹除的功能上,当控制闸接地且源极接至一个高压时,浮闸上的负电子将会自浮闸中拉至源极,进而完成抹除的动作。Flash Memory就是透过这种负电子存放或移除于浮闸的原理,使得本身具有重复读写的特性。
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- 1楼网友:鸽屿
- 2021-03-24 18:26
nonono,不知道
- 2楼网友:行雁书
- 2021-03-24 16:59
U盘是采用Flash芯片存储的,Flash芯片属于电擦写电门。在通电以后改变状态,不通电就固定状态。所以断电以后资料能够保存。 Flash芯片的擦写次数在10万次以上,...
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