简单的逆变器电路图分析

简单的逆变器电路图分析

能够将12V直流电源电压逆变为220V市电电压，电路由BG2和BG3组成的多谐振荡器推进，再经过BG1和BG4驱动，来控制BG6和BG7工作。
其中振荡电路由BG5与DW组的稳压电源供电，这样能够使输出频率比拟稳定。在制造时，变压器可选有常用双12V输出的市电变压器。可依据需求，选择恰当的12V蓄电池容量。
拓展资料逆变器是一种把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成交流电(普通为220伏50HZ正弦波或方波)的安装。我们常见的应急电源，普通是把直流电瓶逆变成220V交流的。简单来讲，逆变器就是一种将直流电转化为交流电的安装。
转换器是将电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出，而逆变器是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电；两个部分同样都采用了用得比较多的脉宽调制（PWM）技术。
其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6～40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
参考资料百度百科词条 逆变器

可以用3845

自己去市场买个逆变驱动模块MPK441就可以了啊，价格也便宜。就20到30.吧再买几个IRFP250。一个变压器要求输出双12V的就行了。功率越大就多加几个IRFP250就可以了，我做的200W用了4个，

这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。
       电路图
              
工作原理
       这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 
方波信号发生器（见图3）
               
这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。
场效应管驱动电路
       这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。
场效应管驱动电路
               
由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4所示。
MOS场效应管电源开关电路。 
    这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。
 
图5
     MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
 
图6
    为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
 
                                            图7a                                                                   图7b
    对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。
 
图8
     下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道 MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
                  
由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作原理同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。
                 
制作要点
       电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。
 
           
 
逆变器的性能测试 
       测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图（图15a）。可以看出，输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算。以负载为60W的电灯泡为例： 
      
       假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω，所以在电压为208V时，W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时，输入电流为10A。此时输出电压为200V。

L3，L4在50HZ推挽驱动下，上方产生高电平，BG2导通，BG1截止，L2导通，初级形成向下的电流，相反下一波形，产生向上的电流，在磁芯能量传递下，在次级产生直流方波，经过C2平滑后形成简单的逆变输出。

这个电路我以前曾做过，我可以给你讲一下，C2是隔直电容，也可以说升压电容，可以保护电路不过载，R2是振教荡调节电阻，大小为1-2欧，L1，L2是初级线圈，L3L4是自振荡线圈L5是输出线圈，R1可以不要。电源接通，电流通过R2限流，流经L3L4中间抽头，再经两头尾抽头到功率管基极导通功率管，经L1L2初级线圈，产生一次初级电流，经变压器耦合，在L5形成次级电流，第一次振荡完成。在L1L2形成电流同时，L3L4也通过变压器形成第二次感应电流，再次导通功率管，这样这个自激振荡电路就这样振荡下去，直到断电或管子烧坏。（功率放大管可以用开关管，职DD207，3DD15，AX18）唯一不好的是频率不稳定，不过用在电鱼还不很好的，现在都用555作振荡电路，追问大侠，可以推荐一下，专用的逆变器IC吗，当然要简单构造的，不要太复杂啦，如果用IC我就可省去 震荡电路自己做驱动就行啦，而且IC控制 好调节，故障好检修，有这种IC吗！追答我给你一个555的追问on 我说的是 专用的 逆变器 ic追答在不少逆变器中用三五作为时基振荡电路，至于是不是专用，我也不太清楚。

主轴应该是双12伏，而三级管应该是10到20伏，比如低频自激和双4伏的线圈。自激电路图是最简单的。
C2是阻挡电容，电容的压力，但可以保护电路，R2是振动的可调电阻，1-2 o的大小，L1和L2是初级线圈，L3L4是自振荡线圈L5输出线圈，R1不能。
电源接通时，电流通过R2电流限制，流过L3L4中间的龙头，然后通过两个端子进入功率管基传导功率管，通过L1L2主线圈，产生一个主电流互感器联轴器，在L5二次电流中形成，第一次振荡完成。L3L4同时在L1L2电流中形成，通过对第二感应电流互感器和传导功率管，使自激振荡电路振荡，直到电源或管道烧坏。
（功率放大管可以用开关管，职DD207，3DD15，AX18）唯一不好的是频率不稳定。