增大MOSFET栅极电阻能消除高频振荡的原因

增大MOSFET栅极电阻能消除高频振荡的原因

mosfet当中的高频振荡原因是，由mosfet的结电容和栅极回路中的寄生电感共同作用产生的，也就是说mosfet在开通关断时，mosfet的结电容存在一个充电和放电的动作，而充电、放电电流都要流过mosfet的栅极回路，如果在栅极回路里存在寄生电感，就会产生L*di/dt一个电压尖峰，可见电流变化速度直接会影响电压尖峰的大小，如果增加栅极电阻，充电、放电电流相应会减小，结电容容量不变的情况下，充电时间会变长，上面公式里的dt会变大，所以L*di/dt就会相应减小。也就消除了高频振荡。